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IXGN400N60A3
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
SOT-227B miniBLOC (IXGN)
g fs
C ies
C oes
C res
Q g(on)
Q ge
Q gc
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t d(on)
t r
t d(off)
t f
I C = 60A, V CE = 10V, Note 1
V CE = 25V, V GE = 0 V, f = 1MHz
I C = 100V, V GE = 15V, V CE = 0.5 ? V CES
Resistive load, T J = 25 ° C
I C = 100A, V GE = 15V
V CE = 400V, R G = 0.5 ?
Resistive load, T J = 125°C
I C = 100A, V GE = 15V
V CE = 400V, R G = 0.5 ?
85
140
32
1450
66
870
120
300
25
95
170
270
27
97
190
650
S
nF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R thJC
0.15 ° C/W
R thCK
0.05
° C/W
Note 1. Pulse test, t ≤ 300μs; duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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